Unless otherwise specified, the amb

Unless otherwise specified, the ambient temperature and bias for high temperature stress shall be adjusted to result in a minimum junction temperature of the devices under stress of 125 °C. Unless otherwise specified, the ambient temperature for low temperature stress shall be a maximum of –10 °C.

結果 (日本語) 1:

結果、125 ° C のストレスの下でのデバイスの最小のジャンクション温度を指定しない場合、周囲温度と高温ストレスに対するバイアスは調整されなければなりません。低温応力の温度 – 10 ° C の最大にならない限り、

結果 (日本語) 2:

特に断りのない限り、高温ストレス、周囲温度、バイアスは125℃のストレス下でのデバイスの最低接合温度をもたらすように調整されなければなりません。特に断りのない限り、低温ストレスのために、周囲温度が-10°Cの最大値でなければなりません。

結果 (日本語) 3:

特に明記しない限り、高温ストレスに対する周囲温度とバイアスは特に断らない限り125℃の応力下でのデバイスの最小限のジャンクション温度になるように調整されるものとし、低温ストレスに対する周囲温度–10°cの最大のもの