結果 (
ロシア語) 2:
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1. 簡介<br><br>近年來,為了提高太陽能電池的效率、顯示單元的亮度和擴散率以及生物感測器的靈敏度,對三維納米尺度和微尺度混合結構進行了研究[1~4,7]。<br><br>迄今為止,已採用納米印記光刻(NIL)和光學光刻工藝相結合,以製造三維納米尺度和微尺度混合圖案[7]。基於接觸的納米印記光刻 (NIL) 技術,如熱和 UV 奈米印跡被認為是下一代光刻。<br><br>特別是納米印記光刻技術具有工藝簡單性、成本低、複製保真度高、輸送量相對較高等優點。<br><br>此外,卷型納米印記光刻(R-NIL)具有均勻性高、壓載低、圖案快速等優點,已成為製造納米尺度和微尺度圖案的重要光刻技術,因為它可以在大面積基材中不斷產生圖案[5,6]。<br><br>然而,它存在一些缺點,如殘餘層稍厚,脫模力高。Koo等人提出了液體轉移印記光刻(LTIL)工藝,以控制殘餘層厚度[3],並盡量減少納米印記接近效應[4]。本研究提出了滾型液體轉移印記光刻(R-LTIL)系統和三維納米尺度和微尺度混合圖案的製造工藝<br>在扁平和微型鏡頭基板上。
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