Wafers are bombarded with positivel

Wafers are bombarded with positively or negatively charged dopant ions, which are
implanted into the silicon. This process, called "doping," changes the electrical
characteristics in selected areas of the silicon and forms conductive regions on the
wafer.

結果 (日本語) 1:

ウェーハは、肯定的または否定的に充電ドーパント イオン殺到しています。シリコンに注入。呼ばれるこのプロセスは、電気変更「ドーピング」選択されたエリア上のシリコンとフォームの導電性領域の特性、ウェーハ。

結果 (日本語) 2:

ウェハは、されている正または負に帯電したドーパントイオン、が殺到している
シリコンに移植します。と呼ばれるこのプロセス、「ドーピングは、「電気的変化
シリコンの選択領域での特性を上に導電性領域を形成する
ウェハ。

結果 (日本語) 3:

ウエハが正または負に帯電するドーパントイオンで照射し、シリコンに注入された。このプロセスは、「ドーピング」と呼ばれて、シリコン・ウェーハ上の伝導の領域の3形態の選択された領域における電気回特性が変化する。