An efficiency of 25.3% with Voc of

An efficiency of 25.3% with Voc of 0.718V was reported in a top and rear contacted solar cell using a homojunction P+ contact for the front side and a N+ thin oxide passivated contact (TOPCon) architecture for the rear side of n-type mono-crystalline Si substrate28. This cell, which is a hybrid of direct contact andpassivated contact, currently has the highest efficiency for a top and rear contacted Si solar cell.

結果 (日本語) 1:

0.718VのVocを有する25.3パーセントの効率が上部に報告し、後は、n型モノの背面側フロントサイド用のホモ接合のP +コンタクトとN +薄い酸化物不動態化接点（トプコン）アーキテクチャを用いた太陽電池を接触しますシリコンsubstrate28を結晶。直接接触とのハイブリッドであるこの細胞、
不動態化接触は、現在上部および後部接触Si太陽電池の最高効率を有します。

結果 (日本語) 2:

0.718VのVocで25.3%の効率は、n型単結晶Si基板28の背面側に対する前面のホモ接合P+接触とN+薄い酸化物パッシベーション接触(TOPCon)アーキテクチャを用いて、上部および背面接触太陽電池で報告された。このセルは、直接接触のハイブリッドであり、
パッシベーション接触は、現在、トップおよびリアがSi太陽電池に接触するための最高の効率を有する。

結果 (日本語) 3:

n型単結晶Si基板28の裏面に対する表面側のホモ接合p＋コンタクトとn＋薄膜酸化物パッシベーション接触（topcon）構造を用いた，上部及び背面コンタクト太陽電池において，0 . 718 vのvocによる25.3 %の効率が報告された。この細胞は、直接接触と
パッシベートされた接点は、現在、トップおよびリア接触Si太陽電池の最高効率を有する。