Silicon dioxide, nitride and polysi

Silicon dioxide, nitride and polysilicon layers are formed on the wafer during a number
of high-temperature furnace processes. The wafers are exposed to various gases,
which either react with the silicon, causing it to oxidize and form an SiO2 layer, or react
with each other to form poly and nitride deposits. These layers are patterned using
photolithography and form the layers of the diodes, transistors, and capacitors of the
circuit. High-temperature furnaces are also used to introduce and diffuse dopants into
the wafers.

結果 (日本語) 1:

シリコン二酸化、窒化シリコン層は、数の間にウエーハ上に形成します。高温炉プロセス。ウェーハ様々 なガスにさらされています。それを酸化し、sio 2 層の形成を引き起こすシリコンと反応するか反応お互いにポリと窒化の預金を形成します。これらの層を使用してパターン化されてフォトリソグラフィ ダイオードやトランジスタのコンデンサーの層を形成し、回路。高温炉を紹介し、ドーパントの拡散にも使用されます。ウェーハ。

結果 (日本語) 2:

二酸化ケイ素、窒化シリコン層数の間にウエハ上に形成された
高温炉プロセス。ウェハは様々なガスにさらされて
、それが酸化し、SiO 2層を形成し、または反応させ、いずれかのシリコンと反応
し、ポリ窒化堆積物を形成して。これらの層を用いてパターニングされた
フォトリソグラフィおよびダイオード、トランジスタ、コンデンサの層構成
回路。高温炉はまたにドーパントを導入して拡散するために使用されている
ウェーハ。

結果 (日本語) 3:

二酸化ケイ素、窒化物およびポリシリコン層高温炉プロセスの数の間のウェーハの上に形成される。ウエハを各種ガスにさらされている、のいずれかが反応してシリコン酸化sio 2層を形成させるか、互いに反応する回ポリと窒化物の堆積物を形成する。これらの層はフォトリソグラフィ技術を用いてパターニング1とダイオードの層を形成し、トランジスタ、並びに回路のコンデンサ。また、高温炉を導入すると、ウエハにびまん性のドーパントを使用している。