Devices on high temperature stress

Devices on high temperature stress shall be cooled to 55 °C or lower before removing the bias. Cooling under bias is not required for a given technology if verification data is provided by the manufacturer. The interruption of bias for up to one minute, for the purpose of moving the devices to cool-down positions separate from the chamber within which life testing was performed, shall not be considered removal of bias. All specified electrical measurements shall be completed prior to any reheating of the devices, except for interim measurements subject to restrictions of clause 6.

結果 (日本語) 1:

高温ストレス上のデバイスは、バイアスを削除する前に 55 ° C に冷却されなければなりません。検証データは、製造元から提供される場合、バイアス下での冷却は与えられた技術のため必要ありません。1 分、クールダウン位置を人生の中でテストを行った、商工会議所とは別にデバイスを移動するためのバイアスの中断ないみなされるバイアスの除去。指定されたすべての電気的測定は第 6 節の制限を受ける中間測定を除いて、デバイスの任意の再加熱前に完了しなければなりません。

結果 (日本語) 2:

高温ストレス上のデバイスは、バイアスを除去する前に、55℃以下に冷却しなければなりません。検証データは、メーカーによって提供されている場合、バイアス下冷却が所与の技術は必要ありません。最大1分のバイアスの中断は、クールダウンする位置は寿命試験を行った内チャンバから分離デバイ​​スを移動させる目的で、バイアスを除去すると考えてはなりません。指定したすべての電気測定は、6節の制限を受ける中間測定を除いて、デバイスのいずれかの再加熱する前に完了しなければなりません。

結果 (日本語) 3:

高温ストレスに対するデバイスは、バイアスを取り除く前に、55℃以下まで冷却しなければならない。バイアス下での冷却技術の検証データが与えられ、メーカーによって提供される場合には必要ではない。1分までのバイアスの中断は、クールダウンの位置の範囲内での寿命試験を行ったチャンバから分離するためのデバイスを移動の目的のために、バイアスの除去と考えられなければならない。すべての指定された電気測定装置のいずれかを再加熱する前に、第6節の規制を前提として臨時の測定を除いて。