Biasing configurations may be bias

Biasing configurations may be bias stress (static or pulsed) or operating stress (dynamic). Depending upon the biasing configuration, supply and input voltages may be grounded or raised to a maximum potential chosen to ensure a stressing temperature not higher than the maximum-rated junction temperature. Device outputs may be unloaded or loaded, to achieve the specified output voltage level. If a device has a thermal shutdown feature it shall not be biased in a manner that could cause the device to go into thermal shutdown.

結果 (日本語) 1:

構成をバイアス バイアス ストレス (静的またはパルス) や動作ストレス (動的) 可能性があります。バイアスの構成に応じて、供給および入力電圧接地または最大の可能性を強調し温度最大定格接合温度より高くないことを確認することを選択に発生します。デバイス出力をアンロードまたはロードされると、指定された出力電圧レベルを達成することがあります。デバイスはサーマル ・ シャット ダウン機能サーマル ・ シャット ダウンに行くデバイスを引き起こす可能性のある方法でバイアスされていませんもの。

結果 (日本語) 2:

構成をバイアスするバイアスストレス（静的またはパルス）、またはオペレーティング・ストレス（動的）であってもよいです。バイアスの設定に応じて、電源の入力電圧は、接地または最大定格接合部温度よりも高い温度ではないストレスを確実にするために選択された最大電位まで上昇させることができます。デバイスの出力は、指定された出力電圧レベルを達成するために、アンロード、またはロードされてもよいです。デバイスはサーマルシャットダウン機能を持っている場合は、デバイスはサーマル・シャットダウン状態にする可能性があります方法でバイアスされてはなりません。

結果 (日本語) 3:

バイアス設定バイアスストレスかもしれません（静的又はパルス）またはストレスの操作（動的）。バイアスの設定に応じて、入力電圧の電源と接地または強調の最大定格接合温度以下の温度を確保するために選ばれた最大の可能性に上がるかもしれません。装置を出力するロードアンロード、または、指定された出力電圧レベルを達成する。デバイスは、サーマルシャットダウン機能デバイスのサーマルシャットダウン状態にさせることができるように付勢されねばならない。