The areas of the wafer not protecte

The areas of the wafer not protected by the exposed photoresist are removed by either
plasma (dry etch) or acid (wet etch). The result is the definition of a given feature(s),
such as a hole or line. The photoresist is then cleaned or "stripped" off the wafer,
leaving a pattern in the exact design of the mask.

結果 (日本語) 1:

いずれかによって露出したフォトレジストで保護されていないウェーハの領域は削除されます。プラズマ (プラズマ ・ ドライエッチ) または酸 （ウエット エッチ）。結果は、特定の機能の定義ラインやホールなどフォトレジストを掃除や「削除」、ウェハ オフマスクの正確なデザイン パターンを残します。

結果 (日本語) 2:

露光されたフォトレジストで保護されていないウェハの領域はいずれかによって除去された
プラズマ（ドライエッチング）又は酸（ウェットエッチング）。その結果、特定の機能（複数可）の定義であり、
そのような穴やラインなど。フォトレジストは、その後、ウェハから洗浄または「ストリッピング」され
たマスクの正確な設計にパターンを残します。

結果 (日本語) 3:

露出したフォトレジストで保護されていないウエハの領域のいずれかの回プラズマにより除去される（ドライエッチング）または酸（ウェットエッチング）。結果は、与えられた機能の定義（s）、穴や線などのように。次に、フォトレジストの清掃や」「ウエハを剥がし、マスクの正確な設計でのパターンを残す。